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意(yi)法(fa)半導體新推(tui)出(chu)的SLLIMM?-nano智能功(gong)率模塊(kuai)(IPM)引入新的封裝類(lei)型，并(bing)集成更多元器(qi)件，加快300W以(yi)下低功(gong)率電(dian)機驅動(dong)器(qi)研(yan)發，簡化組裝過程。

3A和5A 模塊內置當前(qian)*********的(de)(de)600V超(chao)結MOSFET，最大限(xian)度提升空氣壓縮機、風扇、泵等設(she)備的(de)(de)能效。各種直列引腳(jiao)或Z形(xing)引腳(jiao)封裝有(you)助于優化(hua)(hua)空間(jian)占用(yong)率，確(que)保所需的(de)(de)引腳(jiao)間(jian)距。內部開(kai)孔選項讓低價散(san)熱(re)器的(de)(de)安(an)裝更容(rong)易(yi)。此外，發(fa)射極開(kai)路(lu)(lu)輸出分開(kai)設(she)計可簡化(hua)(hua)PCB板(ban)單路(lu)(lu)或三路(lu)(lu)Shunt (分流電阻)電流監視走線。

每個IPM模塊(kuai)都包(bao)(bao)含由六支MOSFET組成(cheng)的(de)(de)三(san)相半(ban)橋和(he)一個高(gao)(gao)壓柵驅動芯片(pian)。新(xin)增功能(neng)有助于(yu)(yu)簡化(hua)保護電(dian)(dian)路(lu)和(he)防(fang)錯電(dian)(dian)路(lu)設(she)計，包(bao)(bao)括一個用(yong)(yong)于(yu)(yu)檢測電(dian)(dian)流的(de)(de)未使用(yong)(yong)的(de)(de)運(yun)放(fang)、用(yong)(yong)于(yu)(yu)高(gao)(gao)速錯誤保護電(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)比較(jiao)器(qi)和(he)用(yong)(yong)于(yu)(yu)監視(shi)溫度(du)(du)的(de)(de)可選(xuan)的(de)(de)NTC (負溫度(du)(du)系數)熱敏電(dian)(dian)阻，還集成(cheng)一個自舉二極(ji)管，以降(jiang)低(di)物料(liao)清單(BOM)成(cheng)本，簡化(hua)電(dian)(dian)路(lu)板(ban)布局(ju)設(she)計。智(zhi)能(neng)關(guan)斷電(dian)(dian)路(lu)可保護功率開關(guan)管，欠壓鎖保護(UVLO)預(yu)防(fang)低(di)Vcc或Vboot電(dian)(dian)壓引(yin)起的(de)(de)功能(neng)失(shi)效。

超結(jie)MOSFET在25°C時通態電(dian)(dian)(dian)阻只有1.0?，最(zui)大 1.6? ，低(di)(di)電(dian)(dian)(dian)容和(he)低(di)(di)柵電(dian)(dian)(dian)荷可最(zui)大限度降低(di)(di)通態損耗和(he)開(kai)關(guan)損耗，從而提(ti)升(sheng)20kHz以(yi)下硬(ying)開(kai)關(guan)電(dian)(dian)(dian)路的能效，包括各種工業電(dian)(dian)(dian)機驅動器(qi)，準許低(di)(di)功(gong)率應用無需使用散熱(re)器(qi)。此(ci)外，優化(hua)的開(kai)關(guan)di/dt和(he)dV/dt上升(sheng)速率確保EMI干(gan)擾處于一個(ge)較低(di)(di)的級(ji)別，可以(yi)進(jin)一步簡化(hua)電(dian)(dian)(dian)路的設計布局。

新模塊的最高額定(ding)結(jie)溫是150°C，取得了UL 1557認(ren)證，電(dian)絕緣級別高達1500Vrms/min。